2025-1117
隨著納米科技在材料科學、生物醫(yī)藥、能源環(huán)境、化妝品及食品工業(yè)等領域的迅猛發(fā)展，對納米顆粒（粒徑通常在1–1000nm）的精確表征已成為研發(fā)與質量控制的關鍵環(huán)節(jié)。其中，粒徑分布作為納米材料最基本的物理參數(shù)之一，直接影響其穩(wěn)定性、生物相容性、催化活性、光學性能及體內行為。為實現(xiàn)對納米顆粒尺寸的高精度、高靈敏度、非破壞性測量，納米粒徑分析儀應運而生，并成為現(xiàn)代實驗室的核心設備。一、什么是納米粒徑分析儀？納米粒徑分析儀是一類專門用于測量納米級顆粒在液體或氣體中粒徑大小及其分布的精密儀...
查看更多2025-1020
本文圍繞納米顆粒粒度分析儀展開，闡述其在納米科技領域的關鍵作用。深入解析其基于動態(tài)光散射、激光衍射等主流技術的工作原理，介紹儀器的核心組件與性能特點，探討在材料研發(fā)、生物醫(yī)藥、環(huán)境科學等多領域的廣泛應用，展現(xiàn)其為納米材料表征與質量控制提供的重要支撐。?一、引言?隨著納米技術的飛速發(fā)展，納米顆粒因獨特的物理化學性質備受關注。精準測定納米顆粒的粒度及分布，對研究其性能、開發(fā)新應用至關重要。納米顆粒粒度分析儀作為關鍵表征工具，能夠穿透微觀尺度，揭示納米世界的奧秘，為科研與生產提供可...
查看更多2025-98
在半導體芯片制造車間，工程師手持一臺僅重1.2kg的納米粒度分析儀，將檢測探頭輕觸硅片表面，0.3秒內便在OLED屏幕上顯示出12.5nm的顆粒分布圖譜。這臺采用動態(tài)光散射（DLS）與電泳光散射（ELS）雙模技術的設備，正以0.1nm的分辨率和±1.5%的重復精度，重新定義納米材料表征的工業(yè)標準。一、技術突破：從原理創(chuàng)新到工程實現(xiàn)納米粒度分析儀的核心技術建立在動態(tài)光散射原理之上。當單色激光穿透納米顆粒懸浮液時，布朗運動導致顆粒散射光強度產生納秒級波動。安東帕Li...
查看更多2025-87
在納米技術席卷全球的浪潮中，納米顆粒粒度分析儀已成為材料科學、生物醫(yī)藥、環(huán)境監(jiān)測等領域的核心工具。它通過捕捉納米級顆粒的微弱信號，精準解析粒徑分布、Zeta電位等關鍵參數(shù)，為科研人員打開了一扇觀測微觀世界的窗口。一、技術原理：動態(tài)光散射的“粒子舞步”納米顆粒粒度分析儀的核心技術基于動態(tài)光散射（DLS）原理。當激光照射懸浮在液體中的納米顆粒時，顆粒因布朗運動產生隨機熱運動，導致散射光強度隨時間波動。小顆粒運動速度快，散射光波動劇烈；大顆粒則反之。通過高靈敏度探測器（如APD/P...
查看更多2025-77
納米顆粒粒度分析儀是現(xiàn)代材料科學、化學工程和生物醫(yī)學領域中分析工具。它能夠精確測量納米顆粒的粒徑分布、濃度以及表面特性，為納米材料的研發(fā)、生產和應用提供了重要的數(shù)據(jù)支持。納米顆粒粒度分析儀的工作原理主要基于光散射技術，尤其是動態(tài)光散射（DLS）和納米顆粒跟蹤分析（NTA）。1.動態(tài)光散射（DLS）：DLS技術利用激光照射樣品中的納米顆粒，顆粒在液體中進行布朗運動時會散射激光。通過高靈敏度的光電探測器測量散射光的強度波動，結合斯托克斯-愛因斯坦方程，可以計算出顆粒的流體力學直徑...
查看更多2025-610
在納米科技飛速發(fā)展的今天，納米顆粒粒度分析儀已成為科研與工業(yè)領域工具。它能夠精確測量納米顆粒的粒徑分布、濃度以及表面電荷等參數(shù)，為材料科學、制藥、環(huán)保等多個領域提供了強有力的技術支持。納米顆粒粒度分析儀的工作原理多樣，常見的有動態(tài)光散射法（DLS）、納米顆粒跟蹤分析技術（NTA）和庫爾特原理等。以動態(tài)光散射法為例，當一束激光照射到懸浮在液體中的納米顆粒時，顆粒會因布朗運動而使散射光信號隨時間波動。通過分析這種波動，結合斯托克斯-愛因斯坦方程，可計算出顆粒的粒徑。而納米顆粒跟蹤...
查看更多2025-513
在城市霧霾的灰色帷幕下，在工廠排放的無形氣流中，一種肉眼不可見的威脅正悄然侵蝕著人類健康——直徑小于100納米的顆粒物（NPs）。面對這種傳統(tǒng)監(jiān)測設備難以捕捉的"隱形殺手"，納米顆粒物監(jiān)測儀以其微觀感知能力，構建起環(huán)境保護與公共安全的新防線。這場從宏觀到微觀的監(jiān)測革命，正在重塑人類對抗空氣污染的認知邊界。一、突破傳統(tǒng)：納米級顆粒的捕獲之謎傳統(tǒng)PM2.5監(jiān)測儀的檢測下限止步于2.5微米，而納米顆粒物監(jiān)測儀則通過三大技術創(chuàng)新實現(xiàn)尺寸突破：基于激光散射原理的設備可檢測低至10nm的...
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